回歸物理本質，射頻工程師正面臨「熱」與「陷阱」的雙重挑戰。傳統流程將測量與模擬視為兩個孤島，導致模型無法反映真實物理行為。
寬能隙材料 (GaN/SiC) 具備強烈的記憶效應。IVCAD 透過等溫脈衝測量 (Isothermal Pulsed IV)，在奈秒級瞬間捕捉元件本徵特性，分離熱效應干擾。
5G 毫米波設計毫釐必爭。透過主動式負載牽引 (Active Load Pull)，我們突破史密斯圖邊界，協助您在 Γ ≈ 1 的極端區域找到效率最佳點。
併入達梭系統 SIMULIA 後，IVCAD 連結了 CST Studio Suite。實現「電路 + 電磁場」的完整模擬，預測熱效應下的系統級波束成形效能。
傳統的 K-factor 僅適用於小訊號線性區，無法預測功率放大器在大訊號驅動下的行為。這也是導致許多 PA 在流片後發生「炸機」的主因。
*圖示：紅色區域代表偵測到的不穩定極點 (Unstable Poles)，需進行電路修正。
專為 GaN 打造的脈衝 IV 測量引擎。
突破阻抗匹配極限。
從數據煉金，建立高精度模型。
系統級驗證與虛擬測試。
透過自動化與精確建模，大幅縮短 5G 產品上市時間 (Time-to-Market)
IVCAD 自動化流程 vs. 傳統手動迭代
多維度技術指標評估
加入全球領先的半導體與系統廠行列，使用 IVCAD Suite 打造更高效、更穩定的 5G/6G 產品。
適用於 5G NR, Radar, Satellite 通訊系統設計。