CST系統級RS模擬（三）—— RS模擬場地校準（單點加擾模式）

CST系統級RS模擬來到第三期。之前，我們介紹了

CST系統級RS模擬（一）－天線建模 ,

CST系統級RS模擬（二）－RS模擬場地校準（掃頻模式），

這次我們來模擬單一頻點干擾模式。

首先，在CST電路工作室建立一個trans任務，激勵訊號設定為500MHz的正弦波訊號，以模擬500MHz的干擾，電壓設為1.4V，即峰值峰值2.8V。

從16個E-probe上，可以看到3m處場強大概在0.63-0.85V/m之間，我們取0.65V/m當基準值。透過簡單的數學計算，如果目標場強是10V/m，那麼激勵訊號就需要增加10/0.65=15.4倍。

接下來，我們重新設定激勵訊號的電壓值，如下圖所示。

重新在電路中運行trans任務後，再次回到3D介面，我們可以看到16個E-probe中，至少有12個的場強滿足10V/m要求。

透過2D結果也可以看到測試區域的場強的分佈非常均勻，滿足測試要求。到此，場地校準模擬全部完成。

原文轉載來自: 周明 – CST系统级RS仿真（三）——RS仿真场地较准（单点加扰模式）

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